[发明专利]形成有源区的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201410443795.3 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448820B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种形成有源区的方法及半导体器件。其中，该方法包括以下步骤：形成基体结构，包括形成有浅沟槽的衬底，形成于相邻浅沟槽之间的衬底中的预备有源区，以及形成于衬底表面上的掩膜层，且掩膜层中形成有与浅沟槽的位置对应且宽度大于浅沟槽的宽度的通孔；在浅沟槽中形成上表面低于衬底的上表面的第一隔离介质层；沿通孔刻蚀去除预备有源区的两侧边角；沿通孔对预备有源区进行氧化处理，以形成具有圆角部的有源区；在通孔中形成与第一隔离介质层相连接的第二隔离介质层。该方法能够形成具有圆形边角的有源区，从而增加形成于有源区中有源器件的有效沟道宽度，并提高有源器件的工作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 有源 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成有源区的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成基体结构，包括形成有浅沟槽的衬底，形成于相邻所述浅沟槽之间的所述衬底中的预备有源区，以及形成于所述衬底表面上的掩膜层，且所述掩膜层中形成有与所述浅沟槽的位置对应且宽度大于所述浅沟槽的宽度的通孔；在所述浅沟槽中形成上表面低于所述衬底的上表面的第一隔离介质层；沿所述通孔刻蚀去除所述预备有源区的两侧边角；沿所述通孔对所述预备有源区进行氧化处理，以形成具有圆角部的所述有源区；在所述通孔中形成与所述第一隔离介质层相连接的第二隔离介质层，且所述第一隔离介质层和所述第二隔离介质层构成隔离介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410443795.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置
- 下一篇：一种托盘及承载装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
