[发明专利]形成有源区的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种形成有源区的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

形成基体结构，包括形成有浅沟槽的衬底，形成于相邻所述浅沟槽之间的所述衬底中的预备有源区，以及形成于所述衬底表面上的掩膜层，且所述掩膜层中形成有与所述浅沟槽的位置对应且宽度大于所述浅沟槽的宽度的通孔；

在所述浅沟槽中形成上表面低于所述衬底的上表面的第一隔离介质层；

沿所述通孔刻蚀去除所述预备有源区的两侧边角；

沿所述通孔对所述预备有源区进行氧化处理，以形成具有圆角部的所述有源区；

在所述通孔中形成与所述第一隔离介质层相连接的第二隔离介质层，且所述第一隔离介质层和所述第二隔离介质层构成隔离介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述基体结构的步骤包括：

在所述衬底的表面上形成所述掩膜层；

依次刻蚀所述掩膜层和所述衬底，以在所述衬底中形成所述浅沟槽，并将相邻所述浅沟槽之间的所述衬底作为所述预备有源区；

回蚀所述掩膜层以形成所述通孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述掩膜层的步骤中，形成包括依次形成的SiO₂层和Si₃N₄层的所述掩膜层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在回蚀所述掩膜层的步骤中，形成宽度为所述浅沟槽宽度的1.2～2倍的所述通孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一隔离介质层的步骤包括：

形成覆盖所述浅沟槽、所述通孔和所述掩膜层的第一隔离介质预备层；

平坦化去除所述掩膜层上的所述第一隔离介质预备层；

刻蚀所述第一隔离介质预备层至所述第一隔离介质预备层的上表面低于所述衬底的上表面，并将剩余所述第一隔离介质预备层作为所述第一隔离介质层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一隔离介质层的步骤中，形成上表面与所述衬底的上表面之间的高度差为所述浅沟槽高度的1/10～1/4的所述第一隔离介质层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述预备有源区的工艺为湿法刻蚀工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬底为单晶硅；在刻蚀所述预备有源区的步骤中，采用氢氧化钾溶液或四甲基氢氧化铵溶液对所述预备有源区进行刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述预备有源区进行氧化处理的工艺为热氧化工艺。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，形成所述第二隔离介质层的步骤包括：

形成覆盖所述通孔和所述掩膜层的第二隔离介质预备层；

平坦化去除所述掩膜层上的所述第二隔离介质预备层，并将剩余所述第二隔离介质预备层作为所述第二隔离介质层。

11.一种半导体器件，包括有源区和设置于所述有源区中的晶体管，其特征在于，所述有源区由权利要求1至10中任一项所述的方法制成。