[发明专利]评估多晶硅栅极氧化层缺失缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410443401.4 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104201131B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种评估多晶硅栅极缺失缺陷的方法，包括将需要检测多晶硅栅极缺失的晶圆正常流片到完成栅极氧化层生成工艺，从而在硅衬底上形成由隔离区隔开的多个阱区，并且在所述多个阱区的表面形成栅极氧化层，而且在所述栅极氧化层中存在凹槽缺陷，所述凹槽缺陷位置下的硅衬底表面高度相对于其它硅衬底表面高度较高；对晶圆整体进行氧化硅刻蚀以去除硅片表面的栅极氧化层，刻蚀后凹槽缺陷位置处的硅衬底呈现凸起缺陷；通过检测易于检查的单晶硅凸起缺陷来确定存在凹槽缺陷的位置。由此，本发明能够迅速准确地检测多晶硅缺失问题，为实验设计以及问题解决提供数据依据，大大减少缺陷检测与问题解决的时间周期。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 多晶 栅极 氧化 缺失 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种评估多晶硅栅极氧化层缺失缺陷的方法，其特征在于包括：将需要检测多晶硅栅极氧化层缺失的晶圆正常流片到完成栅极氧化层生成工艺，从而在硅衬底上形成由隔离区隔开的多个阱区，并且在所述多个阱区的表面形成栅极氧化层，而且在所述栅极氧化层中存在凹槽缺陷，所述凹槽缺陷位置下的硅衬底表面高度相对于其它硅衬底表面高度较高；对晶圆整体进行氧化硅刻蚀以去除硅片表面的栅极氧化层，刻蚀后凹槽缺陷位置处的硅衬底呈现凸起缺陷；通过检测易于检查的单晶硅凸起缺陷来确定存在凹槽缺陷的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
