[发明专利]具有凸块结构的基板及其制造方法

摘要

本发明是关于一种具有凸块结构的基板及其制造方法，该基板包括：半导体基板，具有本体、导接垫及保护层；凸块下金属层，电性连接该导接垫；以及凸块结构，包含铜层及镍层，该铜层位于该凸块下金属层与该镍层之间，该铜层与该凸块下金属层电性连接。该制造方法包括：在半导体基板上形成铜层后，借由控制形成于该铜层上的镍层厚度，以使该铜层与该镍层所组成的凸块结构在退火后，该凸块结构的硬度可符合要求，以避免该具有凸块的基板覆晶结合于玻璃基板时，造成该玻璃基板的破裂。

主权项

1.一种具有凸块结构的基板制造方法，其特征在于包含：提供半导体基板，该半导体基板具有本体、导接垫及保护层，该导接垫形成于该本体，该保护层覆盖该本体，该保护层具有第一开口，该第一开口显露出该导接垫；形成凸块下金属层，该凸块下金属层覆盖该保护层及该导接垫，该凸块下金属层并与该导接垫电性连接，该凸块下金属层包含有待保留部及待移除部；形成光阻层，该光阻层覆盖该凸块下金属层；图案化该光阻层，经图案化的该光阻层具有第二开口，该第二开口显露出该凸块下金属层的该待保留部；形成铜层，在该光阻层的该第二开口中形成该铜层，该铜层与该凸块下金属层的该待保留部电性连接；形成镍层，在该光阻层的该第二开口中形成该镍层，该镍层形成于该铜层上方，且该镍层与该铜层电性连接，该镍层与该铜层组成凸块结构，该镍层具有上表面及下表面，该上表面至该下表面之间的垂直距离为该镍层的厚度，其中该镍层的厚度由计算式H＝12.289D+96.674决定，H为退火后该凸块结构硬度，该凸块结构退火后的硬度单位为Hv，D为该镍层的厚度，该镍层的厚度单位为微米；移除该光阻层，以显露出该凸块下金属层的该待移除部；以及移除该凸块下金属层的待移除部，以该凸块结构为屏蔽，将该凸块下金属层的该待移除部移除，仅保留该凸块下金属层的该待保留部。