[发明专利]一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法有效
| 申请号： | 201410436399.8 | 申请日： | 2014-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104157761B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 许并社;尚林;翟光美;贾伟;马淑芳;梁建;李天保;梅伏洪;贾志刚 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。解决了目前LED结构P型区载流子浓度不高、电流分布不均匀性以及出光效率低技术问题。一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构，该发光二极管结构包括衬底；生长在该衬底上的GaN缓冲层；生长在该GaN缓冲层上的非掺杂GaN层；生长在该非掺杂GaN层上的Si掺杂GaN层；生长在该Si掺杂GaN层上的6个周期的多量子阱结构；生长在多量子阱结构上的p‑AlGaN电子阻挡层；生长在p‑AlGaN电子阻挡层上的Mg掺杂p型GaN层；生长在Mg掺杂p型GaN层上的重掺杂p型GaN层；生长在重掺杂p型GaN层上的n型InGaN层。本发明电流分布均匀，出光效率高，且制备工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 取出 氮化 发光二极管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的GaN缓冲层(2)；生长在该GaN缓冲层(2)上的非掺杂GaN层(3)；生长在该非掺杂GaN层(3)上的Si掺杂GaN层(4)；生长在该Si掺杂GaN层(4)上的6个周期的多量子阱结构(5)，其中阱层厚2.7nm，前五个垒层厚13nm，最后一个垒层厚17nm；生长在多量子阱结构(5)上的p‑AlGaN电子阻挡层(6)；生长在p‑AlGaN电子阻挡层(6)上的Mg掺杂p型GaN层(7)；生长在Mg掺杂p型GaN层(7)上的重掺杂p型GaN层(8)；生长在重掺杂p型GaN层(8)上的n型InGaN层(9)，在n型InGaN层(9)上会自组装形成V型坑。
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