[发明专利]半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 201410431740.0 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104409434A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 施建根;吴谦国;陈文军 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件封装结构，包括芯片和金属层，芯片上设有电极，电极上键合第一导电柱，第一导电柱远离电极的一端连接焊帽，焊帽连接有第二导电柱，第一导电柱与第二导电柱分置于焊帽的两侧，第二导电柱远离焊帽的一端连接金属层。本发明中芯片电极上键合形成的第一导电柱，能够很好的缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起的电极断裂导致半导体器件的失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件封装结构，包括芯片和金属层，所述芯片上设有电极，其特征在于，所述电极上键合第一导电柱，所述第一导电柱远离所述电极的一端连接焊帽，所述焊帽连接有第二导电柱，所述第一导电柱与第二导电柱分置于所述焊帽的两侧，所述第二导电柱远离所述焊帽的一端连接所述金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司，未经南通富士通微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410431740.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
