[发明专利]制作显示面板的方法在审
申请号: | 201410431229.0 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104201152A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 黄郁涵;黄国有 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种制作显示面板的方法,包括于一第一基板上形成一第一图案化导电层、一栅极绝缘层、一半导体沟道层、一第一保护层、一第二图案化导电层以及一像素电极。第一图案化导电层包括一栅极,且第二图案化导电层包括一源极、一漏极及一数据线。栅极绝缘层、第一保护层及第二图案化导电层的图案是利用同一道光掩模并利用蚀刻工艺及剥离工艺所形成。本发明公开的制作显示面板的方法能够简化工艺并大幅节省制作成本。 | ||
搜索关键词: | 制作 显示 面板 方法 | ||
【主权项】:
一种制作显示面板的方法,包括:提供一第一基板;于该第一基板上形成一第一图案化导电层,该第一图案化导电层包括一栅极;于该第一基板与该第一图案化导电层上形成一栅极绝缘层;于该栅极绝缘层上形成一半导体沟道层,其中该半导体沟道层与该栅极在一垂直投影方向上至少部分重叠;于该栅极绝缘层与该半导体沟道层上形成一第一保护层;于该第一保护层上形成一图案化光致抗蚀剂层,其中该图案化光致抗蚀剂层具有一第一光致抗蚀剂图案、一第二光致抗蚀剂图案以及多个开口,且该第一光致抗蚀剂图案的厚度大于该第二光致抗蚀剂图案的厚度;去除所述多个开口所暴露出的该第一保护层以暴露出该半导体沟道层的一第一接触区与一第二接触区;进行一灰化工艺,移除该第二光致抗蚀剂图案以部分暴露出该第一保护层的一上表面;于该图案化光致抗蚀剂层上形成一导电层,其中该导电层与该第一接触区和该第二接触区接触,且该导电层与该图案化光致抗蚀剂层所暴露出的该第一保护层的该上表面接触;进行一剥离(lift‑off)工艺,移除该图案化光致抗蚀剂层以及位于该图案化光致抗蚀剂层上的该导电层,以形成一第二图案化导电层,其中该第二图案化导电层包括一源极与该第一接触区接触、一漏极与该第二接触区接触以及一数据线设置于该第一保护层的该上表面上并与该源极连接;于该第二图案化导电层上形成一第二保护层;以及于该第二保护层上形成一像素电极,其中该像素电极与该漏极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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