[发明专利]制作显示面板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作显示面板的方法，尤其涉及一种具有简化工艺步骤的制作显示面板的方法。

背景技术

液晶显示面板由于具有轻薄短小与节能等优点，已被广泛地应用在各式电子产品，如智能手机(smart phone)、笔记型电脑(notebook computer)、平板电脑(tablet PC)等，而且随着大尺寸液晶显示面板技术的快速发展，液晶显示器已逐渐成为平面电视的主流产品。

液晶显示面板主要是利用一显示阵列提供显示功能，其中显示阵列由多个以阵列排列的次像素所构成，而各次像素包括薄膜晶体管元件、储存电容元件以及液晶电容元件等。依据半导体材料定义，薄膜晶体管元件大致上包括三大类，分别为：非晶硅薄膜晶体管元件(amorphous silicon TFT,a-Si TFT)、多晶硅薄膜晶体管元件(poly silicon TFT)以及氧化物半导体薄膜晶体管元件(oxide semiconductor TFT)。非晶硅薄膜晶体管受到非晶硅半导体材料本身特性的限制，使其电子迁移率较低而无法满足目前可见的未来更高规格显示器的需求。多晶硅薄膜晶体管受惠于其多晶硅材料的特性，于电子迁移率上有大幅的改善，至于大尺寸面板应用时会有结晶程度均匀性不佳的问题存在，故目前多晶硅薄膜晶体管元件仍以小尺寸面板应用为主。氧化物半导体薄膜晶体管元件的氧化物半导体材料一般为非晶相(amorphous)结构，且氧化物半导体薄膜晶体管元件的电子迁移率一般可较非晶硅薄膜晶体管元件高10倍以上，已可满足目前可见的未来高规格显示器的需求，因此目前已有使用氧化物半导体薄膜晶体管元件的液晶显示面板。

然而，使用氧化物半导体薄膜晶体管元件的液晶显示面板至少需要进行九次光刻及蚀刻工艺(photolithography and etching process,PEP)，也就是至少需要使用九道不同的光掩模才能制作，因此具有工艺复杂的缺点而仍待进一步改善。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种制作显示面板的方法，以简化显示面板的工艺复杂度。

本发明的一实施例提供一种制作显示面板的方法，包括下列步骤。提供第一基板。于第一基板上形成第一图案化导电层，其中第一图案化导电层包括栅极。于第一基板与第一图案化导电层上形成栅极绝缘层。于栅极绝缘层上形成半导体沟道层，其中半导体沟道层与栅极在垂直投影方向上至少部分重叠。于栅极绝缘层与半导体沟道层上形成第一保护层。于第一保护层上形成图案化光致抗蚀剂层，其中图案化光致抗蚀剂层具有第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案以及多个开口，且第一光致抗蚀剂图案的厚度大于第二光致抗蚀剂图案的厚度。去除开口所暴露出的第一保护层以暴露出半导体沟道层的第一接触区与第二接触区。进行灰化工艺，移除第二光致抗蚀剂图案以部分暴露出第一保护层的上表面。于图案化光致抗蚀剂层上形成导电层，其中导电层与第一接触区和第二接触区接触，且导电层与图案化光致抗蚀剂层所暴露出的第一保护层的上表面接触。进行剥离工艺，移除图案化光致抗蚀剂层以及位于图案化光致抗蚀剂层上的导电层，以形成第二图案化导电层，其中第二图案化导电层包括源极与第一接触区接触、漏极与第二接触区接触以及数据线设置于第一保护层的上表面上并与源极连接。于第二图案化导电层上形成第二保护层。于第二保护层上形成像素电极，其中像素电极与漏极电性连接。

本发明的制作显示面板的方法利用剥离工艺以同时定义出栅极绝缘层、第一保护层以及第二图案化导电层的图案，可以减少至少两道光掩模的数目，故可以简化工艺并大幅节省制作成本。再者，第一保护层以及第二图案化导电层(源极与漏极)的图案使用同一道光掩模定义，还可具有自行对准(self-alignment)的优点，故可缩短沟道长度，进而提升开口率并使得薄膜晶体管元件具有均匀化的元件特性。

附图说明

图1至图13绘示了本发明的第一实施例的制作显示面板的方法的示意图。

图14与图15绘示了本发明的第二实施例的制作显示面板的方法的示意图。

图16至图18绘示了本发明的第三实施例的制作显示面板的方法的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10   第一基板            10A  主动区

10P  周边区              12   第一图案化导电层

CL   共通线              12P  下连接垫

GI   栅极绝缘层          13   半导体沟道层