[发明专利]一种用于接触孔对位的对位标记及其形成方法有效
| 申请号： | 201410431192.1 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105448892B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 赵简 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于接触孔对位的对位标记及其形成方法，涉及半导体技术领域。本发明的用于接触孔对位的对位标记的形成方法，包括在半导体衬底的拟形成用于接触孔对位的对位标记的区域的两侧形成浅沟槽隔离以及在半导体衬底的拟形成用于接触孔对位的对位标记的区域形成与所述半导体衬底具有相同的材料的对位标记的步骤，因此可以提高对位标记的有效厚度，从而提高对位质量。本发明的用于接触孔对位的对位标记，由于与半导体衬底具有相同的材料，并且在半导体衬底内位于对位标记两侧的区域形成有浅沟槽隔离，因此，可以提高对位标记的有效厚度，提高对位质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 接触 对位 标记 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于接触孔对位的对位标记，形成于半导体衬底上，其特征在于，所述对位标记与所述半导体衬底具有相同的材料，所述对位标记的材料包括多晶硅，并且，所述半导体衬底内形成有位于所述对位标记两侧的浅沟槽隔离，所述对位标记与半导体器件的伪栅极在同一工艺中形成。
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