[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410429439.6 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105374883B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;蔡英杰;龚正;郑家慧 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/764;H01L23/467;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压元件及其制造方法。高压元件至少包括一基板、形成于基板上的一绝缘物、形成于绝缘物上的一深阱、和形成于绝缘物内且邻近于深阱的底面的一空气层(air layer)。其中，深阱的一底面是与基板相隔开来，空气层是位于深阱和基板之间，且空气层与基板相隔开来。一实施例中，空气层可与高压元件外部的气压连通，以利于散热。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 高压元件 深阱 绝缘物 空气层 相隔 散热 底面 气层 气压 连通 制造 邻近 外部 | ||
【主权项】：
一种高压元件(high voltage device)，至少包括：一基板；一绝缘物(insulation)，形成于该基板上；一深阱(deep well)形成于该绝缘物上，该深阱的一底面是与该基板相隔开来；和一空气层(air layer)形成于该绝缘物内且邻近于深阱的该底面，其中该空气层是位于该深阱和该基板之间，且该空气层与该基板相隔开来，该空气层上表面与该深阱下表面为共平面，且该深阱下表面同时与该绝缘物的一部分及该空气层的全部共平面。
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