[发明专利]一种用于4μm NiCr合金薄膜的离子束干法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种用于4μm NiCr合金薄膜的离子束干法刻蚀方法，包括以下步骤：①在Al₂O₃基片上溅射沉积NiCr薄膜；②光刻，形成所需要的图形；③将步骤②所得的Al₂O₃基片通过专用夹具放入离子束刻蚀机中，用Ar气进行离子束刻蚀；将步骤③所得的Al₂O₃基片进行湿法去胶，去除残余光刻胶。本发明解决了NiCr薄膜难以采用光刻胶作为掩膜进行4μm NiCr薄膜干法图形化的问题，且工艺简单，容易操作，重复性好，适合用于大规模生产。

主权项

一种用于4μm NiCr合金薄膜的离子束干法刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)采用离子束溅射法在洗净的Al₂O₃基片表面制备厚度为4±0.05μm的NiCr合金薄膜层；(2)采用光刻法在NiCr合金薄膜层上制备光刻胶掩膜层，形成掩模图形；所述光刻胶掩膜层材料为SX AR‑PC 5000；(3)将经步骤(2)处理后的Al₂O₃基片放入离子束刻蚀机，在Ar气环境下进行离子束刻蚀，刻蚀深度等于NiCr合金薄膜层厚度，刻蚀线宽为10±0.5μm；(4)将经步骤(3)处理后的Al₂O₃基片去胶、洗净、烘干。