[发明专利]一种用于4μm NiCr合金薄膜的离子束干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于4μm NiCr合金薄膜的离子束干法刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)采用离子束溅射法在洗净的Al₂O₃基片表面制备厚度为4±0.05μm的NiCr合金薄膜层；

(2)采用光刻法在NiCr合金薄膜层上制备光刻胶掩膜层，形成掩模图形；所述光刻胶掩膜层材料为SX AR-PC 5000；

(3)将经步骤(2)处理后的Al₂O₃基片放入离子束刻蚀机，在Ar气环境下进行离子束刻蚀，刻蚀深度等于NiCr合金薄膜层厚度，刻蚀线宽为10±0.5μm；

(4)将经步骤(3)处理后的Al₂O₃基片去胶、洗净、烘干。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述离子束蚀刻机的离子束采用考夫曼离子源，离子源的束径Φ＝140mm—160mm，离子束的束流均匀性Φ＝120mm±5％。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述离子束刻蚀时过刻蚀时间与主刻蚀时间的比例为(5％—10％):1。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述离子刻蚀时刻蚀工件台转速为8rpm/min—12rpm/min。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述去胶是丙酮湿法去胶、酒精湿法去胶或超声机湿法去胶。