[发明专利]电容值可变的MIS电容的结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种电容值可变的MIS电容的制作方法，步骤包括1)在N型重掺杂衬底上成长N型轻掺杂外延；2)成长牺牲氧化层；3)定义N型离子注入区，垂直注入N型离子；4)斜角度注入N型离子；5)去除光刻胶，热退火；6)去除牺牲氧化层，再淀积一层氧化层；7)淀积金属层。本发明还公开了该MIS电容的结构。本发明通过垂直和带角度的两次N型离子注入及注入后的扩散，在MIS电容的N型轻掺杂外延层中形成了注入离子横向的波浪形浓度梯度，这种结构使MIS电容值能随着外加电压的增大而增大，与RFLDMOS的输出电容形成互补，用此MIS电容和RFLDMOS的输出电容并联进行内匹配，就可以减小输出电容随电压的非线性。

主权项

电容值可变的MIS电容的制作方法，其特征在于，步骤包括：1)在N型重掺杂衬底上生长N型轻掺杂外延；2)在N型轻掺杂外延上生长牺牲氧化层；3)用光刻胶定义出N型离子注入区，并进行垂直的N型离子注入；4)进行N型离子的斜角度注入；5)去除光刻胶，并进行热退火；6)去除牺牲氧化层，然后再淀积一层氧化层；7)淀积金属层，通过光刻和刻蚀形成电容值可变的MIS电容。