[发明专利]电容值可变的MIS电容的结构及制作方法

权利要求书

1.电容值可变的MIS电容的制作方法，其特征在于，步骤包括：

1)在N型重掺杂衬底上成长N型轻掺杂外延；

2)在N型轻掺杂外延上成长牺牲氧化层；

3)用光刻胶定义出N型离子注入区，并进行垂直的N型离子注入；

4)进行N型离子的斜角度注入；

5)去除光刻胶，并进行热退火；

6)去除牺牲氧化层，然后再淀积一层氧化层；

7)淀积金属层，通过光刻和刻蚀形成电容值可变的MIS电容。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述N型轻掺杂外延的厚度为500～5000埃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述牺牲氧化层的厚度为100埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)和4)中，所述N型离子为磷离子，磷离子注入能量为30～100keV，注入剂量为1e12～1e14cm^-2。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤4)，注入角度为15～45度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)，退火温度为900～1100℃，退火时间为30秒～30分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)淀积的氧化层的厚度为500～30000埃。

8.电容值可变的MIS电容的结构，其特征在于，从下向上依次包括N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延层、氧化层、金属层，所述N型轻掺杂外延层中注入有N型离子，该N型离子的浓度呈横向波浪形浓度梯度。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述N型轻掺杂外延层的厚度为500～5000埃。

10.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述氧化层的厚度为500～30000埃。