[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410397828.5 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105336784A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;赵超;徐强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层、栅极导电层；在栅极导电层上形成TiN或者WN材质的阻挡层；采用ALD法淀积金属W层，进一步包括：步骤a1.交替通入SiH4气体、与WF6气体，反应形成不含B的第一类型W层；步骤a2.交替通入B2H6和SiH4的混合气体、与WF6气体，反应形成含有B的第二类型W层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在ALD法沉积W之时预先通入使用SiH4气体，再通入B2H6和SiH4混合气体交替反应方式形成ALD W薄膜，在保证了ALD W薄膜的填孔性能的同时，又避免了硼元素在阻挡层的界面富集以及穿透到高k材料中，并同时提升了W薄膜和阻挡层薄膜的粘附性，增大了W CMP工艺的窗口以及器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层、栅极导电层；在栅极导电层上形成TiN或者WN材质的阻挡层；在阻挡层上，采用ALD法淀积金属W层，进一步包括：步骤a1，通入SiH4气体、与WF6气体，反应形成不含B的第一类型W层；步骤a2，交替通入B2H6和SiH4的混合气体、与WF6气体，反应形成含有B的第二类型W层。
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