[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，在所述第一区中并且包括第一沟道区，所述第一沟道区由下半导体层和形成在所述下半导体层上的上半导体层形成，所述第一沟道区是接触所述衬底并从其突出的鳍结构；第二晶体管，在所述第二区中并且包括第二沟道区，所述第二沟道区由所述上半导体层形成，所述第二沟道区具有环绕栅结构；所述第一晶体管的第一栅电极，所述第一栅电极覆盖所述鳍结构；以及所述第二晶体管的第二栅电极，所述第二栅电极形成在所述第二沟道区周围，使得所述第二栅电极从上方、下方以及在两侧覆盖所述第二沟道区，其中，所述下半导体层由与所述上半导体层不同的材料形成，其中所述第二沟道区具有与所述上半导体层和所述下半导体层之间的界面共面的底表面。