[发明专利]精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法有效
申请号: | 201410390740.0 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104157586B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法,包括第一步骤,用于利用电子束缺陷检测设备查找晶圆上的具有芯片号的芯片上的重复结构器件,并对查找出的重复结构器件设定重复结构编号;第二步骤,用于确定组成单个重复结构器件的最小重复结构,并且对所有重复结构器件设定最小结构序号;第三步骤,用于利用电子束缺陷检测设备通过比较芯片数据查找出存在异常的最小重复结构;第四步骤,用于将查找出异常的最小重复结构所对应的芯片号、重复结构编号和最小结构序号传递给聚焦离子束分析设备;第五步骤,用于通过聚焦离子束分析设备根据芯片号、重复结构编号和最小结构序号来移动晶圆将聚焦离子束位于缺陷电路区域起始位置。 | ||
搜索关键词: | 精确 定位 分析 电子束 缺陷 检测 发现 重复 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法,其特征在于包括:第一步骤,用于利用电子束缺陷检测设备查找晶圆上的具有芯片号的芯片上的重复结构器件,并利用电子束缺陷检测设备对查找出的重复结构器件设定重复结构编号;第二步骤,用于确定组成单个重复结构器件的最小重复结构,并且对所有重复结构器件设定最小结构序号;第三步骤,用于利用电子束缺陷检测设备通过比较芯片数据查找出存在异常的最小重复结构;第四步骤,用于将查找出异常的最小重复结构所对应的芯片号、重复结构编号和最小结构序号传递给聚焦离子束分析设备;第五步骤,用于通过聚焦离子束分析设备根据芯片号、重复结构编号和最小结构序号来移动晶圆将聚焦离子束位于缺陷电路区域起始位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造