[发明专利]精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法。

背景技术

先进的集成电路制造工艺一般都包含几百步的工序，任何环节的微小错误都将导致整个芯片的失效，特别是随着电路关键尺寸的不断缩小，其对工艺控制的要求就越严格，所以在生产过程中为能及时的发现和解决问题都配置有光学和电子束的缺陷检测设备对产品进行在线的检测。

电子束缺陷检测的基本原理是将检测的电子束投射到芯片上，通过控制入射电子的能量来控制芯片表面的电场特性，晶圆在金属钨接触孔形成后表面为正电场。由于在接触孔下面的器件的电学性能各不相同，所以在不同接触孔上的相对于整个晶圆的微电场是不同的，如图1表示为重复器件结构的不同器件上的接触孔在同一个电场下表现为不同的亮暗。

当某个器件出现异常时，那么与其相连的接触孔就会与周围的正常器件的接触孔表现为不同的亮暗如图2的虚线框所示，从而被电子束缺陷检测所发现。为了在晶圆制造工艺中对器件进行有效的监控，在实际生产过程中往往对芯片上如图3所示的电学性能单一的重复结构存储器的电路区域进行在线电子束检测。但是，对于缺陷位置的定位，目前采用的是确定其在晶圆上的具体位置即表现为平面上的坐标如(x，y)。而对于该类型的缺陷形成原因的分析，一般需要借助于聚焦离子束进行断面的分析才能进行一步分析其真正的失效模式，如图4所示有的是由于刻蚀不充分、有的是颗粒物形成接触孔亮暗差异。由于电子束检测和聚焦离子束分析设备的中心位置定义存在一定的误差，所以在聚焦离子束分析设备中去定位如图3所示重复结构缺陷是一件非常困难的工作。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法，包括：

第一步骤，用于利用电子束缺陷检测设备查找晶圆上的具有芯片号的芯片上的重复结构器件，并利用电子束缺陷检测设备对查找出的重复结构器件设定重复结构编号；

第二步骤，用于确定组成单个重复结构器件的最小重复结构，并且对所有重复结构器件设定最小结构序号；

第三步骤，用于利用电子束缺陷检测设备通过比较芯片数据查找出存在异常的最小重复结构；

第四步骤，用于将查找出异常的最小重复结构所对应的芯片号、重复结构编号和最小结构序号传递给聚焦离子束分析设备；

第五步骤，用于通过聚焦离子束分析设备根据芯片号、重复结构编号和最小结构序号来移动晶圆将聚焦离子束位于缺陷电路区域起始位置。

例如，所述重复结构器件是存储器电路。

利用本发明的方法，可以在聚焦离子束分析设备中直接找到需要进行断面分析的由电子束缺陷检测设备确定的重复结构缺陷。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了重复器件结构接触孔在同一个电场下示意图。

图2示意性地示出了器件异常时电子检测设备确定的缺陷示意图。

图3示意性地示出了芯片上重复结构器件的检测区域示意图。

图4示意性地示出了根据现有技术的不同原因形成的器件接触孔亮暗差异示意图。

图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法的流程图。

图6示意性地示出了芯片上重复结构器件检测区域编号示意图。

图7示意性地示出了设定最小重复结构器件的示意图。

图8示意性地示出了晶圆上芯片的检测区域上有缺陷的示意图。

图9示意性地示出了检测电路区域起始位置示意图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法的流程图。

具体地说，如图5所示，根据本发明优选实施例的精确定位分析电子束缺陷检测发现的重复结构缺陷的方法包括：