[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410385595.7 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104465765A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 饭岛良介;中林幸雄;清水达雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的SiC的第1区域；第1导电型的杂质浓度比第1区域低的第1导电型的SiC的第2区域；被第1区域与第2区域夹持的第2导电型的第3区域；设置在第1、第2以及第3区域表面且第3区域上的膜厚比第2区域上的膜厚厚的Si层；设置在Si层上的栅极绝缘膜；以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的SiC的第1区域；第1导电型的SiC的第2区域，第1导电型的杂质浓度比所述第1区域低；第2导电型的SiC的第3区域，被所述第1区域与所述第2区域夹持；Si层，设置在所述第1区域、所述第2区域以及所述第3区域的表面，所述第3区域上的膜厚大于所述第2区域上的膜厚；栅极绝缘膜，设置在所述Si层上；以及栅极电极，设置在所述栅极绝缘膜上。
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