[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410379832.9 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104916691A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;高尾和人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，抑制成本上升，抑制误动作的产生，且可靠性高。其具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于上述第一电极与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置于上述第一半导体区域与上述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于上述第二半导体区域与上述第二电极之间，该第三半导体区域的杂质浓度高于上述第一半导体区域的杂质浓度；第三电极，经由第一绝缘膜与上述第三半导体区域、上述第二半导体区域以及上述第一半导体区域接连；以及电容元件部，具有：与上述第二电极电连接的第四电极；与上述第三电极电连接的第五电极；以及设置于上述第四电极与上述第五电极之间的第二绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，该第三半导体区域的杂质浓度高于所述第一半导体区域的杂质浓度；第三电极，经由第一绝缘膜与所述第三半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第一半导体区域接连；以及电容元件部，具有：与所述第二电极电连接的第四电极；与所述第三电极电连接的第五电极；以及设置于所述第四电极与所述第五电极之间的第二绝缘膜。
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