[发明专利]嵌入在MOS器件中的锗阻挡件

摘要

本发明提供了一种集成电路结构，包括位于半导体衬底上方的栅叠件以及延伸至半导体衬底内的开口，其中，开口邻近栅叠件。第一硅锗区位于开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区的上方，其中，第二硅锗区的第二锗百分比大于第一锗百分比。第三硅锗区位于第二硅锗区的上方，其中，第三硅锗区的第三锗百分比小于第二锗百分比。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。

主权项

一种集成电路结构，包括：半导体衬底；栅叠件，位于所述半导体衬底的上方；开口，延伸至所述半导体衬底内，其中，所述开口邻近所述栅叠件；第一硅锗区，位于所述开口中，其中，所述第一硅锗区具有第一锗百分比；第二硅锗区，位于所述第一硅锗区的上方，其中，所述第二硅锗区的第二锗百分比大于所述第一锗百分比；以及第三硅锗区，位于所述第二硅锗区的上方，其中，所述第三硅锗区的第三锗百分比小于所述第二锗百分比；其中，所述第一硅锗区和所述第三硅锗区中的每一个具有持续增加的锗百分比，并且所述第一硅锗区和所述第三硅锗区中的每一个的上部的锗百分比大于相应的下部中的锗百分比。