[发明专利]存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法在审
| 申请号： | 201410369927.2 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336375A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 黄正乙;杨家奇;黄正太 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法，所述存储器包括：呈M行N列排布的存储单元和至少一个第一MOS管，M≥1，N≥2，N为偶数，所述存储单元包括：第二MOS管和熔丝；在同一个存储单元中，第二MOS管的第一端连接熔丝的第一端；位于同一列存储单元中的熔丝的第二端连接在一起；第n个第一MOS管的第一端连接位于第2n-1个存储单元中的熔丝的第一端，所述第n个第一MOS管的第二端连接位于第2n个存储单元中的熔丝的第一端，n≥1。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 编程 冗余 读取 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，其特征在于，包括：呈M行N列排布的存储单元和至少一个第一MOS管，M≥1，N≥2，N为偶数，所述存储单元包括：第二MOS管和熔丝；在同一个存储单元中，第二MOS管的第一端连接熔丝的第一端；位于同一列存储单元中的熔丝的第二端连接在一起；第n个第一MOS管的第一端连接位于第2n‑1个存储单元中的熔丝的第一端，所述第n个第一MOS管的第二端连接位于第2n个存储单元中的熔丝的第一端，n≥1。
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