[发明专利]存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：呈M行N列排布的存储单元和至少一个第一MOS管，M≥1，N≥2，N为偶数，所述存储单元包括：第二MOS管和熔丝；

在同一个存储单元中，第二MOS管的第一端连接熔丝的第一端；

位于同一列存储单元中的熔丝的第二端连接在一起；

第n个第一MOS管的第一端连接位于第2n-1个存储单元中的熔丝的第一端，所述第n个第一MOS管的第二端连接位于第2n个存储单元中的熔丝的第一端，n≥1。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：N个第三MOS管和N个灵敏放大器；

第j个第三MOS管的第一端连接第j个灵敏放大器的输入端和位于第j列存储单元中的熔丝的第二端，N≥j≥1。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括：N个第四MOS管；

第k个第四MOS管的第一端连接位于第k列存储单元中的熔丝的第二端，N≥k≥1。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：N个第四MOS管；

第k个第四MOS管的第一端连接位于第k个存储单元中的熔丝的第二端，N≥k≥1。

5.一种权利要求2所述存储器的编程方法，其特征在于，包括：

使待编程存储单元中的第二MOS管、所述待编程存储单元中的熔丝和与所述待编程存储单元连接的第三MOS管形成通路，以将数据编程至所述待编程存储单元。

6.如权利要求5所述的存储器的编程方法，其特征在于，还包括：

施加第一电压至所述待编程存储单元中的第二MOS管的第二端；

施加第二电压至与所述待编程存储单元连接的第三MOS管的第二端，所述第一电压与第二电压的电压值不相等。

7.如权利要求5所述的存储器的编程方法，其特征在于，还包括以下步骤a至步骤e中的至少一个：

a，使与所述待编程存储单元连接的灵敏放大器处于失能状态；

b，使与所述待编程存储单元连接的第一MOS管处于截止状态；

c，使非编程存储单元中的第二MOS管处于截止状态；

d，使未与所述待编程存储单元连接的第一MOS管或第三MOS管处于截止状态；

e，使未与所述待编程存储单元连接的灵敏放大器处于失能状态。

8.一种权利要求3所述的存储器的编程方法，其特征在于，包括：

使待编程存储单元中的第二MOS管、所述待编程存储单元中的熔丝和与所述待编程存储单元连接的第四MOS管形成通路，以将数据编程至所述待编程存储单元。

9.如权利要求8所述的存储器的编程方法，其特征在于，还包括：

施加第一电压至所述待编程存储单元中的第二MOS管的第二端；

施加第二电压至与所述待编程存储单元连接的第四MOS管的第二端，所述第一电压与第二电压的电压值不相等。

10.如权利要求8所述的存储器的编程方法，其特征在于，还包括以下步骤a至步骤d中的至少一个：

a，使与所述待编程存储单元连接的第一MOS管或第三MOS管处于截止状态；

b，使与所述待编程存储单元连接的灵敏放大器处于失能状态；

c，使非编程存储单元中的第二MOS管处于截止状态；

d，使未与所述待编程存储单元连接的第一MOS管、第三MOS管或第四MOS管处于截止状态。

11.一种权利要求2所述存储器的无冗余读取方法，其特征在于，包括：

使待读取存储单元中的第二MOS管、所述待读取存储单元中的熔丝和与所述待读取存储单元连接的灵敏放大器形成通路，以读取所述待读取存储单元的数据。

12.如权利要求11所述的存储器的无冗余读取方法，其特征在于，还包括：

施加所述存储器的电源电压或地电压至所述待读取存储单元中的第二MOS管的第二端。