[发明专利]存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法。

背景技术

熔丝(efuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的一种技术。熔丝的初始电阻值很小，当有大电流经过熔丝时，熔丝被熔断，其电阻值倍增。因此，由熔丝构成的储存单元以判断熔丝是否被熔断来得知其内部储存的数据。

如图1所示，现有熔丝存储器包括：m条字线、n个列选晶体管、n条位线、n个灵敏放大器和熔丝存储阵列，m和n均为正整数。

m条字线包括：第1条字线WL1、第2条字线WL2、…、第m条字线WLm。

n个列选晶体管包括：第1个列选晶体管M1、第2个列选晶体管M2、第3个列选晶体管M3、…、第n个列选晶体管Mn，所述n个列选晶体管的源极均连接电源电压VDD。

n条位线包括：第1条位线BL1、第2条位线BL2、第3条位线BL3、…、第n条位线BLn，所述n条位线与所述n个列选晶体管的漏极一一对应连接。

n个灵敏放大器包括：第1个灵敏放大器SA1、第2个灵敏放大器SA2、第3个灵敏放大器SA3、…、第n个灵敏放大器SAn，所述n个灵敏放大器与所述n条位线一一对应连接。

熔丝存储阵列包括：呈m行n列排布的存储单元。所述m条字线与所述m行存储单元一一对应，所述n条位线与所述n列存储单元一一对应，一条字线和一条位线对应一个存储单元。

每个存储单元包括：行选晶体管和熔丝。所述行选晶体管的栅极连接与所述存储单元对应的字线，所述行选晶体管的漏极连接所述熔丝的第一端，所述行选晶体管的源极接地GND，所述熔丝的第二端连接与所述存储单元对应的位线。以第1行1列的存储单元10为例，存储单元10对应第1条字线WL1和第1条位线BL1。存储单元10包括行选晶体管M0和熔丝F0，行选晶体管M0的栅极连接第1条字线WL1，行选晶体管M0的漏极连接熔丝F0的第一端，行选晶体管M0的源极接地GND，熔丝F0的第二端连接第1条位线BL1。

通过对列选晶体管的栅极施加相应的电压可以控制列选晶体管导通或截止，通过对字线施加相应的电压可以控制一行存储单元中的行选晶体管导通或截止。当存储单元中的行选晶体管导通且与该存储单元对应的列选晶体管也导通时，位于该存储单元中的熔丝会被熔断。存储单元中的熔丝被熔断的操作也可以称之为对该存储单元进行烧写操作。熔丝是否被熔断可以根据电阻值来判断，当电阻值大于一定的电阻阈值时视为熔丝被熔断，当电阻值该电阻阈值时视为熔丝未被熔断。

存储单元中的熔丝被熔断后无法就再进行烧写操作，所以存储单元在编程过程中只能被烧写一次。通常将数据1视为需进行烧写操作的数据，即，对数据1编程时需熔断保存数据1的存储单元中的熔丝，对数据0进行编程时无需熔断保存数据0的存储单元中的熔丝。

然而，存储单元容易出现编程失败，即烧写操作之后熔丝仍未被熔断，这导致存储单元保存的数据出现错误，从而读取结果错误，存储器的生产良率变低。

发明内容

本发明解决的问题是现有存储器的生产良率较低。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器，包括：呈M行N列排布的存储单元和至少一个第一MOS管，M≥1，N≥2，N为偶数，所述存储单元包括：第二MOS管和熔丝；

在同一个存储单元中，第二MOS管的第一端连接熔丝的第一端；

位于同一列存储单元中的熔丝的第二端连接在一起；

第n个第一MOS管的第一端连接位于第2n-1个存储单元中的熔丝的第一端，所述第n个第一MOS管的第二端连接位于第2n个存储单元中的熔丝的第一端，n≥1。

可选的，所述存储器还包括：N个第三MOS管和N个灵敏放大器；

第j个第三MOS管的第一端连接第j个灵敏放大器的输入端和位于第j列存储单元中的熔丝的第二端，N≥j≥1。

可选的，所述存储器还包括：N个第四MOS管；

第k个第四MOS管的第一端连接位于第k列存储单元中的熔丝的第二端，N≥k≥1。

可选的，所述存储器还包括：N个第四MOS管；

第k个第四MOS管的第一端连接位于第k个存储单元中的熔丝的第二端，N≥k≥1。

可选的，所述第四MOS管的第一端为漏极或源极。

本发明还提供一种上述存储器的编程方法，包括：

使待编程存储单元中的第二MOS管、所述待编程存储单元中的熔丝和与所述待编程存储单元连接的第三MOS管形成通路，以将数据编程至所述待编程存储单元。

可选的，所述存储器的编程方法还包括：