[发明专利]减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410367540.3 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448647A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;邓浩;严琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法，通过在氢化无定形碳薄膜的表面先通以氧气等离子体进行表面平滑处理，以去除氢化无定形碳薄膜表面的Bump缺陷，然后再采用含氢及氦气的等离子体对氢化无定形碳薄膜的表面再次进行平滑处理，以使得薄膜表面的光滑程度得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 氢化 无定形碳 膜层中 bump 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一具有氧化物层的半导体结构；步骤S2、制备氢化无定形碳薄膜覆盖所述氧化物层，且该氢化无定形碳薄膜产生本征Bump缺陷；步骤S3、采用氧气等离子体对所述氢化无定形碳薄膜的表面进行平滑处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
