[发明专利]减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410367540.3 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448647A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;邓浩;严琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 氢化 无定形碳 膜层中 bump 缺陷 方法 | ||
1.一种减少氢化无定形碳膜层中Bump缺陷的方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供一具有氧化物层的半导体结构；
步骤S2、制备氢化无定形碳薄膜覆盖所述氧化物层，且该氢化无定形碳薄膜产生本征Bump缺陷；
步骤S3、采用氧气等离子体对所述氢化无定形碳薄膜的表面进行平滑处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
步骤S4、采用含氢及氦气的等离子体对经过步骤S3处理后的薄膜的表面再次进行平滑处理，以形成一光滑无定形碳层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
步骤S5、在所述光滑无定形碳层上制备一层介电抗反射层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
步骤S6、在所述介电抗反射层上制备一层光刻胶；
步骤S7、通过光刻工艺在所述光刻胶中形成预定图形。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构中还设置有一金属栅极，所述氧化物层覆盖于所述金属栅极上。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积工艺制备所述氧化物层。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属栅极为高介电常数金属栅极，其介电常数为24～26。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：
步骤S8、以形成预定图形的光刻胶为掩膜，向下刻蚀，并使刻蚀停止于所述金属栅极的顶部，以形成若干接触孔。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，通过采用C2H2等离子体处理无定形碳薄膜，以形成所述氢化无定形碳薄膜。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中，通过灰化工艺进行所述平滑处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
