[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，包含一基板、一第一阱区(well)及一第二阱区，形成在基板之中。第一阱区具有一第一导电类型(conductivity type)。第二阱区具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。半导体装置包含具有第一导电类型的一第一重掺杂区(heavily‑doped region)，及具有第一导电类型的一第二重掺杂区。第一重掺杂区的一部分形成在第一阱区之中。第二重掺杂区形成在第二阱区之中。此装置更包含一绝缘层，绝缘层形成在第一重掺杂区与第二重掺杂区之间的基板的一通道区的上方。此装置更包含一栅极电极，形成在绝缘层的上方。此装置更包含一端点，用以耦接至欲保护的一外部电路。此装置更包含一切换电路，耦接在端点与第一重掺杂区之间，以及在端点与栅极电极之间。

主权项

一种半导体装置，包含：一基板；一第一阱区，形成在该基板之中，该第一阱区具有一第一导电类型；一第二阱区，形成在该基板之中，该第二阱区具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型；一第一重掺杂区，具有该第一导电类型，该第一重掺杂区的一部分形成在该第一阱区之中；一第二重掺杂区，具有该第一导电类型，且形成在该第二阱区之中；一绝缘层，形成在该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间的该基板的一通道区的上方；一栅极电极，形成在该绝缘层的上方，该栅极电极、该绝缘层、该通道区、该第一重掺杂区及该第二重掺杂区形成一嵌入式场效晶体管；一端点，用以耦接至欲保护的一外部电路；以及一切换电路，耦接在该端点与该第一重掺杂区之间，以及在该端点与该栅极电极之间。