[发明专利]一种用于太阳能电池片的减反射膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410347598.1 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN104091839A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 郭永强;和江变;于利亚;马承鸿;宗灵仑;李健 申请(专利权)人: 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 于宝庆;刘春生
地址: 010111 内蒙古*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明提供一种太阳能电池减反射膜及其制造方法。该太阳能电池减反射膜包括:第一氮化硅层,覆盖于所述太阳能电池片的表面;第二氮化硅层,覆盖于所述第一氮化硅层的上表面;以及第三氮化硅层,覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本发明的三层氮化硅减反射膜可产生良好的钝化效果,提高冶金多晶硅电池片的短路电流,降低反向漏电流,提升光电转换效率;同时,本发明的制造方法通过采用间断性沉积技术,即在两层氮化硅薄膜的沉积之间增加一定的停顿时间,使得每层氮化硅薄膜的生长尽可能完整,制得的冶金多晶硅电池外观颜色更加均匀,可将电池片表面的色差率从原来的30%降至5%左右,大大提高了冶金多晶硅电池的合格率。
搜索关键词: 一种 用于 太阳能电池 减反射膜 及其 制造 方法
【主权项】:
一种用于太阳能电池片的减反射膜,包括:第一氮化硅层,覆盖于所述太阳能电池片的表面,所述第一氮化硅层的厚度为26~33nm,折射率为2.6~2.8;第二氮化硅层,覆盖于所述第一氮化硅层的上表面,所述第二氮化硅层的厚度为20~29nm,折射率为2.1~2.5;以及第三氮化硅层,覆盖于所述第二氮化硅层的上表面,所述第三氮化硅层的厚度为47~56nm,折射率为2.0~2.1。
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