[发明专利]一种用于太阳能电池片的减反射膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201410347598.1 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104091839A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 郭永强;和江变;于利亚;马承鸿;宗灵仑;李健 | 申请（专利权）人： | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;刘春生 |
| 地址： | 010111 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳能电池 减反射膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于太阳能电池片的减反射膜，包括：
第一氮化硅层，覆盖于所述太阳能电池片的表面，所述第一氮化硅层的厚度为26～33nm，折射率为2.6～2.8；
第二氮化硅层，覆盖于所述第一氮化硅层的上表面，所述第二氮化硅层的厚度为20～29nm，折射率为2.1～2.5；以及
第三氮化硅层，覆盖于所述第二氮化硅层的上表面，所述第三氮化硅层的厚度为47～56nm，折射率为2.0～2.1。
2.根据权利要求1的减反射膜，其中所述减反射膜的等效膜厚为78～88nm，等效折射率为2.09～2.20。
3.一种用于太阳能电池片的减反射膜的制造方法，包括：
采用第一气体流量比通入反应气体，在太阳能电池片的表面沉积第一氮化硅层；
进行第一沉积停顿处理；
采用第二气体流量比通入反应气体，在所述第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层；
进行第二沉积停顿处理；以及
采用第三气体流量比通入反应气体，在所述第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层。
4.根据权利要求3的制造方法，其中沉积所述第一氮化硅层、沉积所述第二氮化硅层以及沉积所述第三氮化硅层时的沉积功率为2000～4000W。
5.根据权利要求4的制造方法，其中所述第一沉积停顿处理包括以下步骤：停止通入所述反应气体，将所述沉积功率调整为0，压力维持在180～190Pa，维持5～10秒。
6.根据权利要求4的制造方法，其中所述第二沉积停顿处理包括以下步骤：停止通入所述反应气体，将所述沉积功率调整为0，压力维持在180～190Pa，维持5～10秒。
7.根据权利要求3的制造方法，其中所述反应气体包括氨气和硅烷。
8.根据权利要求7的制造方法，其中所述第一气体流量比为氨气：硅烷＝3000～3015:1000～1005，沉积所述第一氮化硅层的时间为100～120秒。
9.根据权利要求7的制造方法，其中所述第二气体流量比为氨气：硅烷＝3429～3450:571～575，沉积所述第二氮化硅层的时间为70～90秒。
10.根据权利要求7的制造方法，其中所述第三气体流量比为氨气：硅烷＝3750～3795:250～253，沉积所述第三氮化硅层的时间为470～490秒。
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