[发明专利]一种测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201410341355.7 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN105304614B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 杨梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测试结构，包括衬底层及若干分立的第一层间金属层，所述第一层间金属层与所述衬底层之间通过若干第一接触插塞电连接；所述测试结构还包括一连续分布的第二层间金属层，所述第二层间金属层通过若干第二接触插塞与所述第一层间金属层电连接。本发明将第一层间金属层通过第二接触插塞连接到一个大的第二层间金属层上，达到接地的效果，增强金属断线连接后，第一接触插塞表面的电势差；利用扫描电子显微镜电压对比原理，可以从晶圆背面观察第一接触插塞的明暗程度来反映第一接触插塞是否与第一层间金属层接触好，可以快速定位缺陷位置，反映制程缺陷，并实现早期缺陷监测的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，包括衬底层及若干分立的第一层间金属层，所述第一层间金属层与所述衬底层之间通过若干第一接触插塞电连接；其特征在于：所述测试结构还包括一连续分布的第二层间金属层，所述第二层间金属层通过若干第二接触插塞与所述第一层间金属层电连接，所述第二层间金属层的面积大于所有第一层间金属层的面积之和，达到接地的效果，增强金属断线连接后，第一接触插塞表面的电势差。
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