[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410340104.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105322012B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 许静;闫江;陈邦明;王红丽;唐波;唐兆云;徐烨锋;李春龙;杨萌萌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一区域具有：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为第一器件形成区域；第一隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区域之下、第一隔离结构与第二半导体层端部之间；第二区域具有：衬底；衬底之上的第二器件；第二隔离结构，位于第二器件两侧的衬底上。本发明的器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。同时，与SOI器件相比，消除了浮体效应和自热效应。此外，空腔处较低的介电常数，使得其可承受较高的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括第一区域和第二区域；其中，第一区域具有：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上，其中，所述第二半导体层为GexSi1‑x，0
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