[发明专利]半导体器件、半导体器件的制作方法及LCD驱动芯片

摘要

本申请公开了一种半导体器件、半导体器件的制作方法及LCD驱动芯片。该半导体器件包括：衬底；外延层，设置于衬底的表面上，外延层的导电类型与衬底的导电类型不同；第一阱结构，设置于外延层中，且下表面与衬底的上表面相接触，第一阱结构的导电类型与衬底的导电类型不同；第二阱结构，围绕第一阱结构设置，且下表面与衬底的上表面相接触，第二阱结构的导电类型与第一阱结构的导电类型不同。该半导体器件的结构得以优化，并使得半导体器件的集成度得以提高。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的表面上，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型不同；所述外延层的高度为所述衬底的高度的1/2～2；第一阱结构，设置于所述外延层中，且下表面与所述衬底的上表面相接触，所述第一阱结构的导电类型与所述衬底的导电类型不同；第二阱结构，围绕所述第一阱结构设置，且下表面与所述衬底的上表面相接触，所述第二阱结构的导电类型与所述第一阱结构的导电类型不同；位于所述第一阱结构的一侧的所述第二阱结构的宽度为所述第一阱结构的宽度的1/4～1；所述半导体器件还包括设置于所述第一阱结构中的第一晶体管，所述第一晶体管包括依次设置于所述第一阱结构的表面上的第一氧化物层和第一栅极，以及设置于所述第一栅极的两侧的所述第一阱结构中的第一源极区和第一漏极区。