[发明专利]半导体器件、半导体器件的制作方法及LCD驱动芯片

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

外延层，设置于所述衬底的表面上，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型不同；

第一阱结构，设置于所述外延层中，且下表面与所述衬底的上表面相接触，所述第一阱结构的导电类型与所述衬底的导电类型不同；

第二阱结构，围绕所述第一阱结构设置，且下表面与所述衬底的上表面相接触，所述第二阱结构的导电类型与所述第一阱结构的导电类型不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第一阱结构的一侧的所述第二阱结构的宽度为所述第一阱结构的宽度的1/4～1。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层的高度为所述衬底的高度的1/2～2。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件中，

所述衬底和所述第二阱结构的导电类型为N型，所述外延层和所述第一阱结构的导电类型为P型；或者

所述衬底和所述第二阱结构的导电类型为P型，所述外延层和所述第一阱结构的导电类型为N型。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：设置于所述第一阱结构中的第一晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括：

第二晶体管，设置于所述第一阱结构的一侧或两侧的所述第二阱结构中；以及

沟槽隔离结构，设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间。

7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的表面上形成导电类型与所述衬底的导电类型不同的外延层；

在所述外延层中形成下表面与所述衬底的上表面相接触且导电类型与所述衬底的导电类型不同的第一阱结构，并形成围绕所述第一阱结构设置，下表面与所述衬底的上表面相接触且导电类型与所述第一阱结构的导电类型不同的第二阱结构。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一阱结构和所述第二阱结构的步骤包括：

沿欲形成所述第一阱结构的位置对所述外延层进行离子注入，形成第一阱预备结构；

对位于所述第一阱预备结构的两侧的所述外延层进行离子注入，形成第二阱预备结构；

对所述第一阱预备结构和所述第二阱预备结构进行热扩散处理，形成所述第一阱结构和所述第二阱结构。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一阱结构和所述第二阱结构的步骤包括：

沿欲形成所述第二阱结构的位置对所述外延层进行离子注入，形成第二阱预备结构；

对相邻所述第二阱预备结构之间的所述外延层进行离子注入，形成第一阱预备结构；

对所述第一阱预备结构和所述第二阱预备结构进行热扩散处理，形成所述第一阱结构和所述第二阱结构。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一阱预备结构以及所述第二阱预备结构的步骤中，

形成高度为第一阱结构的高度的9/10～19/20的所述第一阱预备结构；

形成高度为第二阱结构的高度的9/10～19/20的所述第二阱预备结构。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述热扩散处理的步骤中，处理温度为1150～1400℃，处理时间为20～120s。

12.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述第一阱结构中形成第一晶体管。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法进一步包括：

在所述第一阱结构的一侧或两侧的所述第二阱结构中形成第二晶体管；以及

在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间形成沟槽隔离结构。

14.一种LCD驱动芯片，包括高压器件、中压器件和低压器件，其特征在于，所述高压器件为权利要求1至6中任一项所述的半导体器件。