[发明专利]用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法有效
| 申请号： | 201410338417.9 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105321799B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;郭腾钦;白源吉;尤春祺 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括：提供具有电路布局、第一光掩模图与第二光掩模图的第一基板，其中第一光掩模图与第二光掩模图依序叠置于电路布局上，且第一光掩模图与第二光掩模图分别相对于电路布局具有不相等的x轴向可容许偏差范围与y轴向可容许偏差范围；获取第一光掩模图相对于第二光掩模图的座标偏移量；以及计算座标偏移量相对上述x轴向可容许偏差范围与上述y轴向可容许偏差范围的偏移差值，并将第一倍数的上述座标偏移量与第二倍数的上述偏移差值进行加总，以获得x轴向补偿参数与y轴向补偿参数作为最终补偿参数。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 容许偏差 补偿参数 电路布局 偏移量 制作工艺 偏移 非对称 光刻 第一基板 不相等 加总 | ||
【主权项】：
1.一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括：提供一第一基板，该第一基板具有一电路布局、一第一光掩模图与一第二光掩模图，其中该第一光掩模图与该第二光掩模图依序叠置于该电路布局上，该第一光掩模图与该第二光掩模图相对于该电路布局具有一x轴向可容许偏差范围与一y轴向可容许偏差范围，该x轴向可容许偏差范围不等于该y轴向可容许偏差范围；获取该第一光掩模图相对于该第二光掩模图的一座标偏移量；以及计算该座标偏移量相对该x轴向可容许偏差范围与该y轴向可容许偏差范围的一偏移差值，并将一第一倍数的该座标偏移量与一第二倍数的该偏移差值进行加总，以获得一x轴向补偿参数与一y轴向补偿参数作为一最终补偿参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410338417.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
