[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410337858.7 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104064554B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 吉泽和隆;江间泰示 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李玉锁,张浴月 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括半导体基板，包括形成有半导体元件的第一半导体芯片区；层叠层间绝缘膜，形成在所述半导体基板上；以及第一金属环，形成在所述层叠层间绝缘膜中；其中所述第一金属环环绕所述半导体元件；所述第一金属环包括第一侧壁；所述第一金属环包括第一下侧金属层和直接形成在所述第一下侧金属层上的第一上侧金属层；所述第一下侧金属层具有第一厚度；第一平滑度系数是所述第一上侧金属层从所述第一下侧金属层的突出宽度与所述第一厚度之间的比值，所述第一平滑度系数是零或小于1，从而能在某种程度上获得防裂环损坏抑制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，包括形成有半导体元件且邻接划片区的第一半导体芯片区；层叠层间绝缘膜，形成在所述半导体基板上；以及第一金属环，形成在所述层叠层间绝缘膜中；其中：所述第一金属环环绕所述半导体元件；所述第一金属环包括第一侧壁和第二侧壁，其中所述第一侧壁面向所述划片区，所述第二侧壁比所述第一侧壁更不平坦；所述第一金属环包括第一下侧金属层和直接形成在所述第一下侧金属层上的第一上侧金属层；所述第一下侧金属层具有第一厚度；第一平滑度系数是所述第一上侧金属层从所述第一下侧金属层的突出宽度与所述第一厚度之间的比值，所述第一平滑度系数小于1；以及所述第一金属环包括最上层金属层，所述最上层金属层具有在所述第一侧壁上延伸出下侧金属层的突出部分，使得所述最上层金属层在垂直于所述基板表面的角度上隐藏所述下侧金属层的第一侧壁，所述半导体器件还包括：开口，形成在所述层叠层间绝缘膜中，暴露出部分所述第一侧壁，并且所述开口的底部位于所述层叠层间绝缘膜的中间高度。
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