[发明专利]分离栅极式存储器的制作方法及其字线CMP量测结构

摘要

本申请提供了一种分离栅极式存储器的制作方法及其字线CMP量测结构。该分离栅极式存储器包括第一衬底和设置在第一衬底上的多个第一栅极结构和第一字线多晶硅层，第一栅极结构的第一间距为L1，第一栅极结构的第二间距为L2，且L1＜L2，字线CMP量测结构包括第二衬底，第二衬底与第一衬底为一体设置或相对独立设置；多个第二栅极结构，等间距地设置在第二衬底上，间距为L3，且L1≤L3≤L2；第二字线多晶硅层，设置在第二栅极结构之间的第二衬底上。在CMP过程中，量测结构的第二栅极结构与第一栅极结构的受力及抛光过程相似，能够准确反映第一栅极结构和第一字线多晶硅层的CMP效果，且能够增强量测基台的量测准确性。

主权项

一种分离栅极式存储器的字线CMP量测结构，所述分离栅极式存储器包括第一衬底和设置在所述第一衬底上的多个第一栅极结构和第一字线多晶硅层，多个所述第一栅极结构之间的间距不同，其中第一间距为L1，第二间距为L2，且L1＜L2，其特征在于，所述字线CMP量测结构包括：第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底为一体设置或相对独立设置；多个第二栅极结构，等间距地设置在所述第二衬底上，所述间距为L3，且L1≤L3≤L2；第二字线多晶硅层，设置在所述第二栅极结构之间的所述第二衬底上。