[发明专利]功率器件快速退火方法和功率器件在审
| 申请号： | 201410328461.1 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105336568A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件快速退火方法和一种功率器件，其中，所述功率器件快速退火方法，包括：在所述功率器件的第一面淀积金属层之后，在所述金属层上淀积保护层；在所述第二面进行离子注入，并对所述第二面进行热退火处理，激活注入的离子；在所述第二面淀积金属层，清除所述第一面上的保护层。本发明的技术方案通过在功率器件的第一面制作工艺完成后，在功率器件的第一面上淀积保护层，实现了在退火过程中对功率器件第一面上制作工艺的保护，提高了功率器件的性能，同时使用常规退火处理，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 快速 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件快速退火方法，其特征在于，包括：在所述功率器件的第一面淀积金属层之后，在所述金属层上淀积保护层；在所述第二面进行离子注入，并对所述第二面进行热退火处理，激活注入的离子；在所述第二面淀积金属层，清除所述第一面上的保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
