[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410325581.6 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105448920A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;仇圣棻;严琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法和电子装置，在半导体衬底上依次形成有垫氧化层和垫氮化物层；刻蚀所述垫氮化物层、所述垫氧化层和部分的所述半导体衬底，以形成浅沟槽；采用FCVD工艺在所述浅沟槽的底部形成第一隔离材料层；采用HARP工艺填充剩余的所述浅沟槽以形成第二隔离材料层，所述第二隔离材料层位于所述第一隔离材料层上；执行平坦化工艺。根据本发明的制作方法在GOX下方区域的STI中没有空洞的形成，避免了字线与字线间的漏电；位于GOX下方的STI结构为正形的，避免了控制栅极到有源区的距离过短；HARP不能填充深宽比为10:1的浅沟槽隔离结构，但是能够填充深宽比为5:1的浅沟槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层和垫氮化物层；刻蚀所述垫氮化物层、所述垫氧化层和部分的所述半导体衬底，以形成浅沟槽；采用FCVD工艺在所述浅沟槽的底部形成第一隔离材料层；采用HARP工艺填充剩余的所述浅沟槽以形成第二隔离材料层，所述第二隔离材料层位于所述第一隔离材料层上；执行平坦化工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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