[发明专利]半导体装置及其制造方法、光接近处理方法有效
申请号: | 201410325303.0 | 申请日: | 2006-04-25 |
公开(公告)号: | CN104090466B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 田冈弘展;小野祐作 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;姜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明在于提供一种包括逻辑电路的半导体装置,本发明的目的在于缩短处理时间,降低制造成本。进而,为了实现上述目的,逻辑电路的形成区域(114)包括:以规定精度被光接近修正处理的第1区域(114b,170);以及,以低于规定精度的精度被光接近修正处理的第2区域(114a,180)。特别是,第1区域(114b,170)具有作为晶体管而动作的栅极布线(172),第2区域(114a,180)具有不作为晶体管而动作的虚拟布图(182)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 接近 处理 | ||
【主权项】:
1.一种光接近处理方法,用于制造包括逻辑电路的半导体装置,其特征在于,该方法包括:在上述逻辑电路的设计布图的第1区域,以规定精度进行第1光接近修正处理的步骤(a);以及在上述逻辑电路的设计布图的第2区域,以低于上述规定精度的精度进行第2光接近修正处理的步骤(b),上述步骤(a)在上述步骤(b)之后进行。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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