[发明专利]半导体装置及其制造方法、光接近处理方法

权利要求书

1.一种光接近处理方法，用于制造包括逻辑电路的半导体装置，其特征在于，该方法包括：

在上述逻辑电路的设计布图的第1区域，以规定精度进行第1光接近修正处理的步骤（a）；以及

在上述逻辑电路的设计布图的第2区域，以低于上述规定精度的精度进行第2光接近修正处理的步骤（b），

上述步骤（a）在上述步骤（b）之后进行。

2.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，该方法包括：

使用通过将从上述步骤（a）和上述步骤（b）获得的光接近修正后的布图图案进行绘制而形成的光掩模，在涂敷有光抗蚀剂的半导体衬底上转印上述布图图案的步骤；以及

根据转印的上述布图图案，对晶片进行加工的步骤。

3.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，该方法包括：

使用从上述步骤（a）和上述步骤（b）获得的、设置于直接绘图装置内的存储单元中的光接近修正后的布图图案，在涂敷有光抗蚀剂的半导体衬底上直接绘图的步骤；以及

根据绘制的上述布图图案，对晶片进行加工的步骤。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理，通过施加一致的偏置来进行。

5.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理是通过以低于上述规定精度的精度分割边缘来进行的。

6.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理是通过简化规则库光接近修正的规格来进行的。

7.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理是通过减缓模型库光接近修正的规格来进行的。

8.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理是通过将具有相互相似形状的多种图案统一为一种图案来进行的。

9.一种半导体装置的制造方法，该方法使用了权利要求1所述的光接近处理方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理是通过将规定的设计布图置换为预先登记的光接近修正后的布图来进行的。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述步骤（b），上述第2光接近修正处理是根据设置于上述规定的设计布图周围的设计布图的种类来进行的。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第2光接近修正处理还在上述规定的设计布图周围的边界部进行。

12.一种包括逻辑电路的半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括：

使用上述逻辑电路的光接近修正后的布图，以规定精度进行曝光处理，以此在掩模上形成上述逻辑电路的第1布图的步骤（a）；

使用上述逻辑电路的光接近修正后的布图，以低于上述规定精度的精度，进行曝光处理，以此在掩模上形成上述逻辑电路的第2布图的步骤（b）；

使用由上述步骤（a）和上述步骤（b）获得的光接近修正后的布图图案形成的光掩模，在涂敷有光抗蚀剂的半导体衬底上，转印上述布图图案的步骤；以及

根据转印的上述布图图案，对晶片进行加工的步骤。

13.一种包括逻辑电路的半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括：

使用上述逻辑电路的光接近修正后的布图，以规定精度进行曝光处理，以此在晶片上形成上述逻辑电路的第1布图的步骤（a）；

使用上述逻辑电路的光接近修正后的布图，以低于上述规定精度的精度进行曝光处理，以此在晶片上形成上述逻辑电路的第2布图的步骤（b）；以及

根据由上述步骤（a）和步骤（b）获得的光接近修正后的布图图案绘制的上述布图图案，对上述晶片进行加工的步骤。