[发明专利]一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410323310.7 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104134712A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 邢伟荣;刘铭;尚林涛;周朋;巩锋;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 梁军 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法，其中，该方法包括：在具有缓冲层的GaSb衬底上生长N型下电极层xMLInAs/yMLGaSb；在生长了N型下电极层上继续生长N型梯度掺杂超晶格层xMLInAs/yMLGaSb；在生长N型梯度掺杂超晶格层上继续进行本征层i层生长xMLInAs/yMLGaSb；在本征层上继续进行P型梯度掺杂超晶格层生长xMLInAs/yMLGaSb；在P型梯度掺杂超晶格层上进行P型上电极层生长xMLInAs/yMLGaSb，以得到梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料。通过该方法得到的材料，解决了现有无法满足暗电流和量子效率的要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 掺杂 晶格 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料的制备方法，其特征在于，包括：在具有缓冲层的GaSb衬底上生长N型下电极层xMLInAs/yMLGaSb；在生长了N型下电极层上继续生长N型梯度掺杂超晶格层xMLInAs/yMLGaSb；在生长N型梯度掺杂超晶格层上继续进行本征层i层生长xMLInAs/yMLGaSb；在本征层上继续进行P型梯度掺杂超晶格层生长xMLInAs/yMLGaSb；在P型梯度掺杂超晶格层上进行P型上电极层生长xMLInAs/yMLGaSb，以得到梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料；其中，ML为一个分子层厚度，x和y为分子层个数，各个层的厚度周期数根据Ⅱ类超晶格材料需求的性能确定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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