[发明专利]能抑制自身电磁辐射的电感电容共振腔及其制造方法有效
| 申请号： | 201410315822.9 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105321932B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡志育;黄凯易;颜孝璁 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能抑制自身电磁辐射的电感电容共振腔及其制造方法，所述电感电容共振腔的一实施例包含：一第一共振腔区域，其边界是由一电感的一第一部分所定义；一第二共振腔区域，其边界是由所述电感的一第二部分所定义，且所述电感的第二部分包含一开口；一交错连接结构，用来电性连接所述电感的第一与第二部分，并区分所述第一与第二共振腔区域；以及至少一电容，设于所述第一与第二共振腔区域的至少其中之一内，其中所述第一与第二共振腔区域的面积比例介于20％至80％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 共振腔 电感 电感电容共振腔 电磁辐射 电性连接 交错连接 电容 制造 开口 | ||
【主权项】：
1.一种能抑制自身电磁辐射的电感电容共振腔，包含：多个共振腔区域，包含：一第一共振腔区域，其边界是由一电感的一第一部分所定义；以及一第二共振腔区域，其边界是由所述电感的一第二部分所定义，且所述电感的所述第二部分包含一开口；一交错连接结构，用来电性连接所述电感的第一与第二部分，并区分所述第一与第二共振腔区域；以及至少一电容，设于所述多个共振腔区域的至少其中之一内，其中所述第一与第二共振腔区域的面积比例介于20％至80％之间。
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