[发明专利]一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201410308825.X | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104130715A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 宋玉春 | 申请（专利权）人： | 安徽拓普森电池有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方峥 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液，其特征在于，由下列重量份的原料制成：三氧化二锑3-4.5、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚3.5-4.5、油酸6-8、油酸钠3-5、甜菜碱2.5-3.5、丁二酸二甲酯5.5-7.5、二氧化硅磨料11-14、松香胺2-4、四硼酸钠3-5、助剂5-7、去离子水300；本发明配方合理，通过添加辛烷基苯酚聚氧乙烯醚等表面活性剂，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态，以降低晶圆的表面粗糙度，添加助剂，具有良好的润滑、成膜性；本发明抛光液不腐蚀污染设备，容易清洗，金属层钨抛光速率快，可控性好，抛光后平整性好，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 集成电路 金属 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液，其特征在于，由下列重量份的原料制成：三氧化二锑3‑4.5、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚3.5‑4.5、油酸6‑8、油酸钠3‑5、甜菜碱2.5‑3.5、丁二酸二甲酯5.5‑7.5、二氧化硅磨料11‑14、松香胺2‑4、四硼酸钠3‑5、助剂5‑7、去离子水300；所述助剂由以下重量份的原料制成：氮化硼5‑7、碳化硅4‑6、硅酸钠1‑2、硝酸钾2‑3、苯并咪唑1‑2、丙二醇丁醚2‑3、水性丙烯酸聚氨酯共聚乳液4‑6、乙二胺四乙酸3‑5、雷米邦3‑4、阿拉伯胶2.5‑3.5、水50‑53；制备方法是首先将氮化硼、碳化硅、阿拉伯胶、雷米邦加入一半量的水中，研磨1‑2小时，然后缓慢加入其余剩余成分，缓慢加热至70℃‑80℃，在300‑500转/分条件下搅拌反应30‑50分钟，冷却至室温即得。
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