[发明专利]一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201410308825.X | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104130715A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 宋玉春 | 申请（专利权）人： | 安徽拓普森电池有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方峥 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 集成电路 金属 抛光 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液，其特征在于，由下列重量份的原料制成：三氧化二锑3-4.5、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚3.5-4.5、油酸6-8、油酸钠3-5、甜菜碱2.5-3.5、丁二酸二甲酯5.5-7.5、二氧化硅磨料11-14、松香胺2-4、四硼酸钠3-5、助剂5-7、去离子水300；
所述助剂由以下重量份的原料制成：氮化硼5-7、碳化硅4-6、硅酸钠1-2、硝酸钾2-3、苯并咪唑1-2、丙二醇丁醚2-3、水性丙烯酸聚氨酯共聚乳液4-6、乙二胺四乙酸3-5、雷米邦3-4、阿拉伯胶2.5-3.5、水50-53；制备方法是首先将氮化硼、碳化硅、阿拉伯胶、雷米邦加入一半量的水中，研磨1-2小时，然后缓慢加入其余剩余成分，缓慢加热至70℃-80℃，在300-500转/分条件下搅拌反应30-50分钟，冷却至室温即得。
2.根据权利要求1所述一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液，其特征在于，由以下具体步骤制成：
(1)将三氧化二锑、二氧化硅磨料、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚混合均匀，加入适量的去离子水，加热至30℃-35℃，研磨25-35分钟，得到混合A料；
（2）将除助剂之外的其余剩余成分加入到反应釜中，搅拌混合均匀，缓慢加热至35℃-45℃，保温1-1.5小时，得到混合B料；
（3）将保温的混合B料边搅拌边缓慢加入到混合A料中，充分搅拌后加入助剂，继续搅拌20-30分钟，冷却至室温即得。
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