[发明专利]具有穿通电极的半导体器件在审
| 申请号： | 201410307263.7 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104658997A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李大雄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 毋二省;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括穿通电极、焊盘以及凸块。穿通电极穿透半导体器件的器件主体。焊盘设置在所述穿通电极的端部上方以具有第一重叠区域和第二重叠区域，其分别与穿通电极的端部的中心部分和边缘部分重叠。凸块设置在所述焊盘上方以接触焊盘的第二重叠区域而没有接触焊盘的第一重叠区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：穿通电极，穿透器件主体；焊盘，设置在所述穿通电极的端部上方，所述焊盘具有与所述穿通电极的所述端部的中心部分重叠的重叠区域；以及凸块，设置在所述焊盘上方而没有接触所述焊盘的所述重叠区域。
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