[发明专利]一种白光发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201410303373.6 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105244430A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 孙鲁;曾庆光;罗坚义;申冬玲 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529020 广东省江门市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种白光发光二极管，包括由硅衬底形成的多孔硅荧光材料层、n型掺杂的缓冲层、n型导电层、多量子阱结构、p型导电层、n型电极连接结构、晶圆键合铟球及倒装底座，所述白光发光二极管使用硅衬底晶圆进行外延生长，利用多量子阱结构发出的蓝光激发多孔硅荧光材料层的方法来得到白光，并利用倒装法进行封装，所述的倒装底座除了提供静电保护和互联电路外，还起到支撑的作用。本发明同时公开了一种白光发光二极管的制作方法。本发明的白光发光二极管采用真正意义上的半导体固态照明技术，能有效地提高白光发光二极管的性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种白光发光二极管，包括由硅衬底所形成的多孔硅荧光材料层（1）、n型掺杂的缓冲层（2）、n型导电层（3）、多量子阱结构（4）、p型导电层（5）、n型电极连接结构（6）、晶圆键合铟球（7）、倒装底座（8），其特征在于：在所述的白光发光二极管中使用由硅衬底所形成的多孔硅作为荧光材料，通过多量子阱结构发出的蓝光激发多孔硅荧光材料来得到白光。
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