[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410299937.3 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104282580B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡柏豪;洪瑞斌;林俊成;李隆华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括模塑料、导电插塞和覆盖件。导电插塞位于模塑料中。覆盖件位于导电插塞和模塑料之间的顶部汇合点的上方。半导体结构还具有介电质。介电质位于覆盖件和模塑料上。本发明还提供了一种半导体3D封装件以及制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：模塑料；导电插塞，位于所述模塑料中；覆盖件，位于所述导电插塞和所述模塑料之间的顶部汇合点上方；以及介电质，位于所述覆盖件上和所述模塑料上方；其中，所述覆盖件、所述导电插塞和所述模塑料形成三重界面，并且所述覆盖件将所述介电质与所述三重界面分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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