[发明专利]电场间隙器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410290791.6 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104253022B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·因赞特;奥拉夫·温尼克;克劳斯·莱曼 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种电场间隙器件及其制造方法。在一组沟道的侧壁周围对衬底材料进行氧化。屏蔽结构意味着在顶部比底部存在更多的氧化物生长，结果是沟道之间的未氧化衬底材料区域形成了在顶部具有尖顶尖端的锥形形状。这些尖顶衬底区域然后用于形成阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 间隙 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电场间隙结构的方法，包括：提供硅衬底(10)；在衬底(10)中刻蚀阴极沟道(14)；用衬垫电介质层(20)向得到的所述硅衬底以及所述阴极沟道表面加衬垫；在阴极沟道侧壁上形成屏蔽区域(22)，但是在阴极沟道(14)的顶部处保留未屏蔽的部分；对阴极沟道的未屏蔽部分处的衬底(10)进行氧化，从而在阴极沟道之间保留尖顶未氧化衬底区域(42)；刻蚀掉在尖顶衬底区域(42)处及其上面的层；在每一个尖顶衬底区域上提供阴极接触(50)；在阴极接触(50)上形成牺牲层(52)；在牺牲层(52)上提供阳极金属层(56)；刻蚀牺牲层(52)以在阴极接触和阳极金属层之间形成腔体(62)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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