[发明专利]一种半导体器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法有效
| 申请号： | 201410285973.4 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104091828B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 乔伊·迈克格雷格;郑志星;艾瑞克·布劳恩;吉扬永 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件、LDMOS器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法。该半导体器件包括栅极区、N型漏极区、P型体区和N型源极区，其中体区包括第一体区、第二体区和体接触区，其中第一体区掺杂硼原子，第二体区掺杂硼原子和铟原子，第二体区位于源极区下方并与源极区相邻。该半导体器件、LDMOS器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法具有较低的电阻、较高的雪崩能量和稳定的阈值电压等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 用于 制作 雪崩 能量 ldmos 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极区，包括介质层和导电层；N型漏极区，包括轻掺杂的漂移区和位于漂移区中的重掺杂的漏极接触区，其中漏极区位于栅极区的第一侧；P型体区，与漏极区相邻，体区包括轻掺杂的第一体区，与第一体区相邻的第二体区以及重掺杂的体接触区；以及N型重掺杂的源极区，源极区位于体区中，其中源极区位于栅极区的第二侧；其中第一体区掺杂硼原子，第二体区掺杂硼原子和铟原子，第二体区位于源极区下方并与源极区相邻。
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