[发明专利]垂直型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410283481.1 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104681612B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吴东嬿;崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括第一区和第二区；无源区，形成在第二区的半导体衬底中并且从半导体衬底的表面形成；一个或更多个第一柱体，从第一区的半导体衬底垂直地延伸；一个或更多个第二柱体，从无源区垂直地延伸；栅导电层，形成在半导体衬底上并且包围第一柱体和第二柱体；以及栅接触，形成在与栅导电层耦接的第二柱体中的至少一个上，其中，第二柱体中的至少一个具有比栅导电层更低的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直型半导体装置，包括：半导体衬底，包括第一区和第二区；无源区，形成在所述第二区的所述半导体衬底中并且从所述半导体衬底的表面起形成；一个或更多个第一柱体，从所述第一区的所述半导体衬底垂直地延伸；一个或更多个第二柱体，从所述无源区垂直地延伸；栅导电层，形成在所述半导体衬底上，并且包围所述第一柱体和所述第二柱体；以及栅接触，形成在所述第二柱体中的至少一个上以与所述栅导电层耦接，其中，所述第二柱体中的所述至少一个具有比所述栅导电层低的高度。
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